FL 26BW長曝光制冷 CMOS 相機(jī)

產(chǎn)品簡介
28.3 mm（1.8″）
6244（H） × 4168 (V)
3.76 μm x 3.76 μm
< 0.0005 e-/p/s
-25℃ @ 22℃

產(chǎn)品型號：

更新時間：2025-09-16

廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家

訪問量：1204

產(chǎn)品咨詢 18117546256

產(chǎn)品分類

PRODUCT CLASSIFICATION

光電探測器

X射線探測器 EMCCD 門控相機(jī) 科研級CMOS 光譜相機(jī) 紅外探測器硅和光電倍增管射頻信號發(fā)生器激光束分析儀功率/能量/波長計高速相機(jī) 科研級CCD相機(jī) 時間閘門ICCD 探測器放大器碲鎘汞探測器銻化銦探測器砷化銦探測器硫化鉛探測器高速探測器銦鎵砷探測器硅探測器光電倍增管

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產(chǎn)品介紹

FL 26BW 是鑫圖新一代深度制冷產(chǎn)品的新成員。它采用索尼最新的背照式CMOS探測器，和鑫圖先進(jìn)制冷密封工藝、圖像降噪技術(shù)聯(lián)合打造，在超長曝光性能達(dá)到深度制冷CCD水平的同時，視野(1.8英寸)，速度、動態(tài)范圍等性能全面超越典型的CCD。可以完（wan）全替代制冷CCD長曝光應(yīng)用，在高級顯微成像和工業(yè)檢測上也有廣泛的應(yīng)用前景。

<0.0005 e-/p/s暗電流可替代冷CCD長曝光應(yīng)用
FL 26BW 暗電流低至0.0005 e-/p/s, 芯片制冷溫度可鎖定到零下25℃。即使在長達(dá)30分鐘曝光時，成像性能(信噪比)仍優(yōu)于典型深度制冷CCD(ICX695)。
背景均一定量分析更精準(zhǔn)
FL 26BW 集成了索尼最新背照式芯片優(yōu)異的輝光抑制能力，和鑫圖先進(jìn)圖像降噪處理技術(shù)，基本杜絕了邊角亮光、壞點像素等不良因素，成像背景均一，更適合定量分析應(yīng)用。
SONY 背照式科學(xué)級芯片綜合成像性能優(yōu)（you）越
FL 26BW采用索尼新一代背照式科學(xué)級CMOS探測器，長曝光性能和CCD相當(dāng)，峰值量子效率高達(dá)92%，讀出噪聲僅0.9 e-，弱光成像能力超越CCD，動態(tài)范圍更是傳統(tǒng)CCD的4倍以上。